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第370章 MOS（第2页）

8008，10μ的pos。

首个4kbit的dra，8μ的nos。

首个16kbit的dra，5μ的nos。

大名鼎鼎的80868088，3μ的nos。

彻底巩固了tel数十年基业的80286，15μ的os。

至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了os技术，那就不得不说os的优点了。

这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！

抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以pos和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。

pos外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。

而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。

工序更少、工艺更简单、良品率更高

对于量产来说，这些特么可都是钱呐！

而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。

两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的os甚至要比双极型要低。

os技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。

在同代次内，更改os电路的设计，对于os的工艺没有任何影响，os电路的性能的改变，是通过改变os场效应管的几何设计来实现的。

双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是os电路就不，它的工艺是不变的。而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了os集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。

除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、超大规模集成电路上走不远。

——它做不小！但是os可以！

这个情况的原因很多。

一来，os管子的面积天生就比双极型要小。

二来，双极型晶体管需要隔离pn结或者隔离井，os不需要。

第三，os天生就提供了两层互连，这让它的内部布线更为方便。

os的这么多优点，又带来了一些系统级别的衍生好处，诸如系统性能更高、设计可预测性更好、可靠性和维护性更好等等。

有趣的是，实际上os场效应管概念的提出，要比双极型管子早，之所以普及更晚，是受工艺的制约。

这就好像汽车，电动车的概念比蒸汽车、内燃车更早，那是十九世纪末期的事情，但是真正大规模实用，都特么二十一世纪了。

但是工艺这个问题，对高振东来说，问题就不是太大了，他能抄啊！

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